飞思卡尔推出适用TD-SCDMA无线网络的系列产品

      在上周结束的年度盛会飞思卡尔技术论坛（FTF）上，无线网络成为行业讨论的热点话题，引来众多业内人士的瞩目。新一代的无线通信技术和产品，将改写我们新的数字生活方式，让世界更环保更安全，沟通更顺畅更便捷。

      在无线架构功率晶体管领域，飞思卡尔以63%的份额占据市场领先地位。飞思卡尔提供最佳性价比的领先产品，长期保持系统成本的降低。射频功率晶体管是射频功率放大器的关键部件，应用在手机架构里用于传播手机信号到广泛区域。飞思卡尔的射频手机覆盖所有主要的频带，从700MHz到3500MHz。产品支持2G，3G和4G标准，包括GSM、CDMA、WCDMA、CDMA2000、TDSCDMA和LTE。

      TD-SCDMA是在中国开发的第三代无线标准，时分同步码分多址存取（TD-SCDMA）无线网络已被广泛应用，而这些射频功率晶体管已经为基站使用的功率放大器进行了优化。这些先进的器件是专为TD-SCDMA 设计的飞思卡尔LDMOS 功率晶体管系列中的最新产品，而TD-SCDMA在业界被广泛部署。

      基于时分双工和异步CDMA技术的TD-SCDMA具有多重优势，包括频谱使用更有效率，在上行/下行链路中支持非对称项目的能力，IP服务和向下一代标准（比如LTE）自然演进路程的适应力等等。

先进的LDMOS FET可提升基站放大器的性能并降低其成本及复杂性

      飞思卡尔半导体公司新近推出两款LDMOS射频功率晶体管。MRF8P20160HSR3晶体管和MRF8P20100HSR3器件均采用飞思卡尔最新的高压第八代（HV8）LDMOS技术，它提供的性能水平位居业界最高行列。Doherty参考设计和世界范围的现场应用工程师的支持，极大地降低了客户进入市场的时间。两个器件都提供对宽带的固有支持，所以能够在专为TD-SCDMA的运行而分配的两个频带（1880-1920 MHz 及 2010-2025 MHz）上提供它们的额定性能，这让一个单独的器件能够为两个频带提供服务，消除了两频带之间组件不同的需求，简化了清单管理。

       TD-SCDMA基站中的放大器均采用Doherty 架构，该架构包含两个放大器，它们共同提供所有的运行条件。这通常要求在载波以及功率放大器的末级功峰值路径中配置单独的RF功率晶体管。然而，飞思卡尔的LDMOS 晶体管均采用“双路径”设计，其中，Doherty末级放大器的实施所要求的两个放大器被集成在一个单独的封装内。这将把所需器件的数量减少一半。这些优势，加上高增益、高效率及低功耗，能够降低TD-SCDMA放大器的生产成本、减少所需的组件并降低放大器的复杂度。

飞思卡尔提供完整的工具和服务组件
 
    晶体管模型
 预负载拉移容量（复杂信号，谐波调谐）
 Doherty示范器
 热能分析
 晶体管
 客户特制优化和个性化
 统计分析
 世界范围的项目应用网络

      两款器件的工作电压均为26-32V，能在32V直流电源下处理的电压驻波比为10:1，它们在设计上是为了与数字预失真误差校正电路一起使用。它们带有内部预匹配，采用空腔陶瓷封装，可以提供胶带和卷轴式包装。这些器件还包含静电保护措施，防止在装配线上遇到静电释放影响。静电释放保护也使门电压在-6V和+10V 之间宽幅波动，从而提高了高效模式（如C级模式）下运行的性能。

      这些先进的器件已成为飞思卡尔现有的LDMOS射频功率放大器阵营中的成员，用于支持TD-SCDMA的运行，其中包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多级集成功率放大器集成电路，每个器件均可在两个TD-SCDMA频带上提供10W的平均功率。

无线覆盖解决方案提供商三元达通讯采用MRF6VP3450H器件

      三元达采用飞思卡尔RF Power 50V LDMOS晶体管推出全球第一款高效Doherty DTV发射器低碳、低功耗，支持中国环保规范要求。三元达在这一里程碑产品中结合了该公司的高效率技术Doherty与飞思卡尔的性能领先的RF功率横向扩散MOS（LDMOS）晶体管，后者适用于广泛的应用。

      此产品为全球第一款商用的先进高效率Doherty技术，由三元达研发实验室自主研发，通过采用自有平台将能够缩短产品周期并与市场中的其他全球OEM展开有效的竞争。

      通过采用飞思卡尔的MRF6VP3450H器件，这款发射器的效率比竞争UHF TV广播解决方案提高了50%，而且系统级功耗更少。飞思卡尔的MRF6VP3450H器件在P1dB下提供超过450 W的峰值功率，并在整个UHF广播频带中提供高效率。发射器对于TV广播电台是一项庞大的运营成本，而这项运营成本的主要组成部分就是RF功率放大器产生的电能消耗。MRF6VP3450H器件设计的发射器不仅每年能节约大量能源，而且通过减少必要的RF功率晶体管的数量，显著降低了发射器成本。

大唐移动选择飞思卡尔的多核处理器支持3G基站

      大唐移动通过来自飞思卡尔的世界级硅技术，提供高性能、高能效的TD - SCDMA无线基站。飞思卡尔MSC8156 DSP和 QorIQ P2020 处理器提供驱动先进基站所需的灵活性、集成性和经济性，支持下一代无线标准。与大唐的合作，突显了飞思卡尔在中国的长期发展动力，同时展示了飞思卡尔多核处理器、DSP和RF功率技术的广度和深度。

      大唐移动为一系列TD - SCDMA基站选用飞思卡尔半导体的双核QorIQ P2020处理器、6核MSC8156 DSP和MD7IC2050N射频功率组件：

QorIQ P2020通信处理器

      飞思卡尔 QorIQ P2020通信处理器是飞思卡尔QorIQ 产品线的一个成员。P2020器件在45纳米低功率平台上，集成了2个e500 Power Architecture内核、一组丰富的高速I/O，安全的加速度引擎技术和一个DDR2/3内存控制器。1.2 GHz双核提供管理网络线卡和基带信道卡设备内大量控制平面和数据平面流量所需要的成本和能效优势。

MSC8156 DSP

      MSC8156 DSP基于45纳米工艺技术，具有灵活性、集成性和经济性，同时还能满足无线基站OEM对基带应用的超高计算性能的需求。MSC8156 DSP是以下应用的理想选择，包括支持一系列不同标准（如：TDD-LTE、FDD-LTE、TD-SCDMA、WiMAX和 3G-HSPA）的无线基站。 该器件包括6个DSP内核，它提供一套高速接口和DDR2/3内存控制器，使DSP内核性能每秒能提供48个GMAC(千兆乘法和累加)。嵌入式MAPLE-B基带加速计提供280 Mbps FFT吞吐量，175 Mbps DFT，200 Mbps速率的6个迭代3G-LTE Turbo解码，100 Mbps的尾咬和多迭代Viterbi解码。

增强飞思卡尔TD-SCDMA的领导地位

      在2009年，飞思卡尔推出用于低功率TD-SCDMA基站的射频解决方案。现在正在积极增加中/高功率的解决方案，飞思卡尔将成为众多射频解决方案供应商中市场覆盖最全面的一个。全球移动数据传输在2009年已经压制了语音传输，在过去两年移动数据传送已经增长了3倍，并期待在未来五年持续每年翻倍增长。所有的解决方案都需要无线发射器，飞思卡尔持续不断地推行技术创新和服务以支持增长的数据架构容量。在飞思卡尔推出工业第一款为TD-SCDMA应用优化的多级商用RFIC——MW7IC2240NB时，已允许OEM厂商将两到三个部件缩减为一个，节省板空间，并降低了功率消耗和成本。飞思卡尔能够提供覆盖2010MHz到1880MHz的最完整的射频组件，减少设计时所需的功率放大器数量。下一代的解决方案还将进一步减小材料成本。技术创新、产品最佳性价比、便于使用、更短的产品上市时间、应用多样化等等，都是客户选择飞思卡尔产品的原因。